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ROHM Semiconductor
RYM002N05T2CL FET individuales, MOSFET
RYM002N05T2CL
278-RYM002N05T2CL
ROHM Semiconductor-RYM002N05T2CL-datasheets-1338605.pdf
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
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Especificaciones técnicas
Tipo FET
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
Estado del producto
Paquete de dispositivo del proveedor
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
Disipación de energía (máx.)
Paquete / Estuche
Tecnología
Estado de ALCANCE
fabricante
Vgs (máx.)
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Temperatura de funcionamiento
Función FET
ECCN
Tipo de montaje
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
Serie
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
HTSUS
Paquete
Número de producto básico
RYM002N05T2CL Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RYM002N05T2CL
Packaging Info for Transistors RYM002N05T2CL Product Catalog Transistors P/N Explanation for Transistors VMT3 MOS Reliability Test VMT3M Inner Structure Transistor, MOSFET Flammability VMT3 Part Marking Packaging Info for Transistors P/N Explanation for Transistors RYM002N05 Spice Model VMT3 Constitution Material List Transistor Whisker Info RYM002N05 ESD Data Transistor, MOSFET Level 1 MSL Partes relacionadas
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