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STMicroelectronics
STFW3N150 FET individuales, MOSFET
STFW3N150
278-STFW3N150
STMicroelectronics-STFW3N150-datasheets-11614401.pdf
N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
Estado del producto
Paquete de dispositivo del proveedor
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
Disipación de energía (máx.)
Paquete / Estuche
Tecnología
fabricante
Vgs (máx.)
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Temperatura de funcionamiento
Función FET
ECCN
Tipo de montaje
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
Serie
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
HTSUS
Paquete
Número de producto básico
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