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Vishay / Siliconix
SI3475DV-T1-GE3 FET individuales, MOSFET
SI3475DV-T1-GE3
278-SI3475DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SI3475DV-T1-GE3-datasheets-7764017.pdf
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
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Especificaciones técnicas
Función FET
Tipo FET
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
ECCN
Tipo de montaje
Estado del producto
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
Paquete de dispositivo del proveedor
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
Serie
Paquete / Estuche
Tecnología
Estado de ALCANCE
fabricante
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
HTSUS
Paquete
Estado RoHS
Número de producto básico
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
SI3475DV-T1-GE3 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014 SI3475DV Partes relacionadas
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